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电子元器件详细资料 » IC[26257] » IXFN32N120P
型号:IXFN32N120P类别:FET制造商:IXYS
封装:SOT-227-4,miniBLOC描述:MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

详细参数

类别FET
描述MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
系列Polar™
制造商IXYS
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)1200V(1.2kV)
电流_连续漏极(Id)0a025000C32A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C310 毫欧 @ 500mA,10V
Id时的Vgs(th)111最大2226.5V @ 1mA
闸电荷(Qg)0a0Vgs360nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds21000pF @ 25V
功率_最大1000W
安装类型底座安装
封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
供应商设备封装SOT-227B
包装管件

供应商

江苏芯钻时代电子科技有限公司陈先生18913062888
HECC GROUP CO,LIMITED蔡小姐/吴小姐/钱先生/朱先生086-755-88608527(高端电子元件渠道商)/83950895/83950890
深圳市鑫晟源电子科技有限公司赖0755-83538837
HECC GROUP CO,LIMITED朱先生086-755-83950890(高端元件渠道商)/83950019/83950895
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